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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
80V, 175A, 2.4mΩ, SO8-FL, REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET 車載用

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SO8-FL
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):5.15 x 6.10 x 1.00
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBA175N08EANS-4UA02#HB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeSO8-FL
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)6600
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)175
Id max @ 25°C (A)175
Lead CompliantNo
Length (mm)6.1
MOQ5000
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)165
Pkg. Dimensions (mm)5.15 x 6.10 x 1.00
Qg typ (nC)99
Qualification LevelAutomotive
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)2.4
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)2.1
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeSO8-FL 5x6 BSC
Tape & ReelYes
Thickness (mm)1
VDSS (Max) (V)80
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)5.15

説明

RBA175N08EANS-4UA02 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。

ルネサスのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)とスイッチング能力を必要とするアプリケーションに適しており、高電力および高周波アプリケーションに最適です。