パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TFFBGA |
| Pkg. Code: | pkg_846 |
| Lead Count (#): | 48 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 10 x 8 x 1.2 |
| Pitch (mm): | 0.75 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Carrier Type | Tray |
| Access Time (ns) | 55 |
| Density (Kb) | 16000 |
| Lead Compliant | Yes |
| Lead Count (#) | 48 |
| Length (mm) | 10 |
| MOQ | 1 |
| Memory Capacity (kbit) | 16000 |
| Memory Density | 16 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Organization | 1M x 16 |
| Organization (bit) | x 16 |
| Organization (kword) | 1000 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 10 x 8 x 1.2 |
| Pkg. Type | TFFBGA |
| Remarks | Dual Chip Select (CS1#, CS2) |
| Replacement Product | RMLV1616AGBG-5U2#AC0 |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 8 |
R1LV1616HBG に関するリソース
説明
R1LV1616HBG-Iシリーズは，1-Mワード x 16ビット構成の16MビットスタティックRAMであり、1ビットエラー訂正対応のECCを内蔵しています。CMOSプロセス技術（6トランジスタメモリセル）を採用し，高密度，高性能，低消費電力を実現しております。したがって，R1LV1616HBG-Iシリーズはバッテリバックアップシステムに最適です。
パッケージの種類は，高密度実装可能な48ボールFBGAが用意されております。
