メインコンテンツに移動
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 3.0V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
  • アクセス時間:45/55ns(max)
  • 消費電力
    -動作時:9mW/MHz(typ)
    -スタンバイ時:1.5 μW(typ)
  • 完全なスタティックメモリです。
    -クロック,タイミングストローブを必要としません。
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • バッテリバックアップ動作が可能です。
    -2CSによるデータ保持動作
  • 温度範囲:-40 ~ +85°C
  • 1ビットエラー訂正ECC(error checking and correction)内蔵

説明

R1LV1616HBG-Iシリーズは,1-Mワード x 16ビット構成の16MビットスタティックRAMであり、1ビットエラー訂正対応のECCを内蔵しています。CMOSプロセス技術(6トランジスタメモリセル)を採用し,高密度,高性能,低消費電力を実現しております。したがって,R1LV1616HBG-Iシリーズはバッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は,高密度実装可能な48ボールFBGAが用意されております。

型名状態サンプル在庫RoHSパッケージCarrier Type
R1LV1616HBG-4SI#B0ObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TFBGATray
R1LV1616HBG-4SI#S0ObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TFBGAEmbossed Tape
R1LV1616HBG-5SI#B0ObsoleteN/A在庫あり問合せTFBGATray
R1LV1616HBG-5SI#S0ObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TFBGAEmbossed Tape
サポートコミュニティ

サポートコミュニティ

ルネサスエンジニアリングコミュニティの技術スタッフから迅速なオンライン技術サポートを受けることができます。
記事を参照する

ナレッジベース

ナレッジベースを参照して、役立つ記事、FAQ、その他の役立つリソースを入手してください。
サポートチケット

サポートチケット

技術的に深い内容や公開したくない内容のご質問はこちらです。