パッケージ情報
| Pkg. Code | pkg_11617 |
| Lead Count (#) | 32 |
| Pkg. Type | sTSOP(32) |
| Pkg. Dimensions (mm) | 11.8 x 8 x 1.2 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| RoHS (R1LV0208BSA-5SI#S1) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Country of Assembly | Malaysia, Taiwan |
| Country of Wafer Fabrication | Japan |
| Price (USD) | 1.80025 |
| Access Time (ns) | 55 |
| Density (Kb) | 2000 |
| Lead Compliant | Yes |
| Lead Count (#) | 32 |
| Length (mm) | 12 |
| Longevity | 2032 12月 |
| MOQ | 1000 |
| Memory Capacity (kbit) | 2000 |
| Memory Density | 2M |
| Organization | 256K x 8 |
| Organization (bit) | x 8 |
| Organization (kword) | 256 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 12 x 8 x 1.2 |
| Pkg. Type | sTSOP(32) |
| Remarks | Dual Chip Select (CS1#, CS2) |
| Replacement Remark | consolidation of part-names and/or assembly material change |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range | -40 to +85°C |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 8 |
R1LV0208BSA に関するリソース
説明
R1LV0208BSAは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた262,144 語 ×8ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0208BSAは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。
R1LV0208BSAは、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ（sTSOP）に収納されています。