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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
4Mb 低消費電力SRAM (512-kword × 8-bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(32)
Pkg. Code:pkg_11790
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):21 x 10 x 1.2
Pitch (mm):1.27

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (R1LP0408DSB-5SI#B1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyMALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)55
Density (Kb)4000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)21
MOQ1
Memory Capacity (kbit)4000
Memory Density4
Organization512K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)512
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)21 x 10 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(32)
Price (USD)$13.12448
RemarksSingle Chip Select (CS#)
Replacement Remarkconsolidation of part-names and/or Back-end site change etc
Supply Voltage (V)4.5 - 5.5
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)10

説明

R1LP0408Dシリーズは、524,288ワード × 8ビット構成の4MビットスタティックRAMです。メモリセルにTFT技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってR1LP0408Dシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンSOP、32ピンTSOPが用意されています。