Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
Pb (Lead) Free | Yes |
ECCN (US) | EAR99 |
HTS (US) | 8541.49.8000 |
RoHS (PS9332L2-AX) | 英語日本語 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
Pb (Lead) Free | Yes |
Country of Assembly | Japan |
Country of Wafer Fabrication | Japan |
Price (USD) | 1ku | 5.89205 |
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) | 5 |
CMTI min. (kV/µs) | 50 |
Carrier Type | Cut Tape |
Channels (#) | 1 |
Creepage Distance (mm) | 8 |
DC IFLH max. (mA) | 4 |
IFLH (Max) (mA) | 4 |
IOL/IOH (Peak) (A) | 2 |
Isolation Voltage (Vrms) | 5000 |
Lead Compliant | Yes |
Longevity | 2030 12月 |
MOQ | 20 |
Peak Output Current IPK (A) | 2 |
SW PDD max. (ns) | 90 |
SW PWD max. (ns) | 75 |
SW tPLH, tPHL max. (ns) | 200 |
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) | Approved |
Safety Standard UL (UL1577) | Approved |
Supply Voltage (V) | 15 - 30 |
Tape & Reel | No |
Target applications | IGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter |
VCC-VEE (Max) (V) | 35 |
tPHL (Max) (μs) | 0.2 |
tPLH (Max) (μs) | 0.2 |
tf (Typical) (µs) | 0.017 |
PS9332L, PS9332L2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ (高 CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,アクティブ・ミラー・クランプ機能を内蔵しており、IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9332L は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9332L2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。