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2.0 A 出力, 高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 8 ピン SDIP フォトカプラ

パッケージ情報

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8541.49.8000
RoHS (PS9332L2-AX) 英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
Country of Assembly Japan
Country of Wafer Fabrication Japan
Price (USD) | 1ku 5.89205
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) 5
CMTI min. (kV/µs) 50
Carrier Type Cut Tape
Channels (#) 1
Creepage Distance (mm) 8
DC IFLH max. (mA) 4
IFLH (Max) (mA) 4
IOL/IOH (Peak) (A) 2
Isolation Voltage (Vrms) 5000
Lead Compliant Yes
Longevity 2030 12月
MOQ 20
Peak Output Current IPK (A) 2
SW PDD max. (ns) 90
SW PWD max. (ns) 75
SW tPLH, tPHL max. (ns) 200
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) Approved
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Supply Voltage (V) 15 - 30
Tape & Reel No
Target applications IGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V) 35
tPHL (Max) (μs) 0.2
tPLH (Max) (μs) 0.2
tf (Typical) (µs) 0.017

説明

PS9332L, PS9332L2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ (高 CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,アクティブ・ミラー・クランプ機能を内蔵しており、IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9332L は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9332L2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。