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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
0.6 A 出力, 高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 6 ピン SDIP フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
CMTI min. (kV/µs)50
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)7
DC IFLH max. (mA)5
IFLH (Max) (mA)5
IOL/IOH (Peak) (A)0.6
Isolation Voltage (Vrms)5000
Lead CompliantYes
Longevity2030 12月
MOQ20
Peak Output Current IPK (A)0.6
Price (USD)$3.90079
SW PDD max. (ns)80
SW PWD max. (ns)50
SW tPLH, tPHL max. (ns)150
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Supply Voltage (V)10 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, AC Servo
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.15
tPLH (Max) (μs)0.15
tf (Typical) (µs)0.007

説明

PS9307AL, PS9307AL2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
PS9307AL, PS9307AL2 は既存の 8 ピン DIP に比べ,実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。
高耐ノイズ (高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9307AL は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9307AL2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。