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特長

  • コレクタ・エミッタ間電圧が高い(VCEO = 350 V)
  • 入出力間絶縁耐圧が高い(BV = 5 000 Vr.m.s.
  • 電流伝達率が高い(CTR = 1 500 % TYP.)
  • エンボス・テーピング対応品:PS2535L-1-F3:2 000 個/リール
  • 海外安全規格
    UL 認定品:No. E72422
    BSI 認定品:No. 8221/8222
    DIN EN60747-5-2 (VDE0884 Part2) 認定品:No. 40008862(オプション対応いたします)

説明

PS2535-1, PS2535L-1 は,GaAs 赤外LED とシリコン・ダーリントン接続フォトトランジスタを組み合わせた光結合素子です。
入出力間の絶縁耐圧およびトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧が高く,さらにダーリントン・トランジスタ出力になっているため低電流入力が可能です。
PS2535L-1 はPS2535-1 の表面実装用リード・フォーミング品です。

パラメータ

属性
Channels (#) 1
VCEO max (mA) 350
IC max (mA) 120
Isolation Voltage (Vrms) 5000
CTR (min)% 400
CTR (Max)% 5500
IF at CTR (mA) 1
VCE at CTR (V) 2
SW tr Typ. (µs) 18
SW tf Typ. (µs) 5
Creepage Distance (mm) 7
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) Approved
Safety Standard BSI (BS EN IEC 62368-1) Approved

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