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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
650 nm InGaAsP MQW-DFB Laser Diode COAXIAL Module for OTDR Application

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

RoHS (NX8602BF-AA-AZ)英語日本語
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

IFP @PW: 10 μs, Duty: 1 % (mA)450
Lead CompliantNo
MOQ5
Pb (Lead) FreeYes
Pf / Po (Min) (mW)50
Pf / Po (Typical) (mW)80
Tape & ReelNo
Target applicationsfor OTDR
Tstg (Max) (°C)85
Tstg (Min) (°C)-40
Λp (Typical) (nm)1650

説明

The NX8602BF-AA is a 1 650 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) pulsed laser diode coaxial module with single mode fiber. This module is specified to operate under pulsed condition and designed for light source of Optical Time Domain Reflectometer (OTDR).