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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
Laser Diode InGaAsP MQW DC-PBH PULSED Laser Diode Module 1 310 nm OTDR Application

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

RoHS (NX7363JB-BC-AZ)英語日本語
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

IFP @PW: 10 μs, Duty: 1 % (mA)1000
Ith (Typical) (mA)35
Lead CompliantNo
MOQ1
Pb (Lead) FreeYes
Pf / Po (Min) (mW)150
Tape & ReelNo
Target applicationsfor OTDR
Tstg (Max) (°C)70
Tstg (Min) (°C)-40
Λp (Typical) (nm)1310

説明

The NX7363JB-BC is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structure pulsed laser diode DIP module with single mode fiber and internal thermoelectric cooler. It is designed for light sources of optical measurement equipment (OTDR).