ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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NP50P04SDG

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Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK for Automotive

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概要

The NP50P04SDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)
  • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP.

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分類 タイトル 日時
データシート
NP50P04SDG Datasheet
PDF 1.30 MB
ガイド
Power Discrete Mount Pad
PDF 796 KB
アプリケーションノート
パワーMOS FETアプリケーションノート
PDF 2.65 MB English
製品別信頼性資料
NP-Series USMO4Pch-MP3 Reliability Report for AEC-Q101
PDF 224 KB
アプリケーションノート
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項
PDF 633 KB English
カタログ
Power MOSFET & IPD
PDF 2.24 MB
ガイド
弊社の車載向けアナログ＆パワー製品に関しての使用上のご注意
PDF 596 KB
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  1. FETの状態がどのようになるか？

    FET　　　型式NP50P04SDG　についてデータシートによると　Vdsの値が-40Vの記載がありました。Absolute maximum ratings の値の-40V の近辺の電圧を印加した場合、どのような状態になりますか？ON状態？、OFF状態？

    2025年4月25日

よくあるご質問

  1. FAQ 1010598 : NP50P04SDGを使用してソレノイドのPWM制御をしたいのですが、ゲート側の制御信号の立ち上がりが鈍く、ドレイン側の出力電圧のデューティ比を制御できません。ソレノイドの仕様でNチャネルのオープン・ドレイン出力形式が使えないため、PチャネルのMOSFETを使用しています。

    PWM周波数にも依存しますが、NP50P04SDGは入力容量 （Ciss Typ 5000pF） が大きいため、プルアップ抵抗、ゲートシリーズ抵抗が大きいと時定数も大きくなります。これにより、ゲート・ソース間電圧の立ち上がりが鈍っているものと推察 ...

    1970年1月1日