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概要

説明

NP20P06SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャンネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 48 mΩ最大(VGS = −10 V, ID = −10 A)RDS(on)2 = 64 mΩ最大(VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
  • 低入力容量 Ciss = 1650 pF (代表値)
  • ゲート保護ダイオード内蔵

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.31 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB English
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

モデル

分類 タイトル 日時
モデル-SPICE ZIP
1件

製品選択

適用されたフィルター

サポート

サポートコミュニティ

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よくあるご質問

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サポートチケット

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