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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
高速デュアルチャネルパワーMOSFETドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:MSL
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):4.9 x 3.9 x 0.00
Pitch (mm):1.3

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
RoHS (ISL89410IBZ)ダウンロード
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Lead Count (#)8
Carrier TypeTube
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range (°C)-40 to +85°C
Drivers (#)2
Fall Time0.013
IS (mA)4.5
Input Signal (Max)18
Input Signal Range0 to 18
Input Supply (Max) (VP)18 - 18
Input Supply Range (V)4.5 - 18
Input Voltage (Max) (V)18
Length (mm)4.9
MOQ1940
Operating Freq (Max) (MHz)10
Output Signal (Max) (V)18
Output Signal Range0 to +18
Parametric CategoryLow-Side FET Drivers
Peak Output Current IPK (A)2
Pitch (mm)1.3
Pkg. Dimensions (mm)4.9 x 3.9 x 0.00
Pkg. TypeSOICN
Qualification LevelStandard
RDS (ON) (Ohms)4
Rise Time (μs)10
Turn Off Delay (ns)20
Turn On Delay (ns)18
VBIAS (Min) (V)4.5
Width (mm)3.9

説明

ISL89410、ISL89411、ISL89412 ICは、EL7202、EL7212、EL7222シリーズに似ていますが、VDD定格が高くなっています。2.0Aのピーク電流を高容量性負荷に供給できる非常に高速なデュアルドライバです。

高速性能は、出力のより広い電圧振幅を利用して入力段を高速化する独自のターボドライバ回路によって達成されます。 速度と駆動能力の向上は、立ち上がり/立ち下がりの遅延時間を一致させることで強化されています。 これらの整合された遅延によって入出力パルス幅の完全性が維持され、タイミング誤差とクロックスキューの問題が低減されます。

この性能の向上により、バイポーラ・ドライバに比べて消費電流が10倍減少しますが、CMOSデバイスに一般的に関連する遅延時間の問題は発生しません。 ダイナミックスイッチング損失は、オーバーラップしない駆動技術によって最小限に抑えられます。