パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | QFN |
| Pkg. Code: | LAZ |
| Lead Count (#): | 32 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 5.0 x 5.0 x 0.90 |
| Pitch (mm): | 0.5 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| RoHS (ISL8126IRZ) | ダウンロード |
製品スペック
| Lead Count (#) | 32 |
| Carrier Type | Tray |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85°C |
| Bias Voltage Range (V) | 2.97 - 5.6 |
| Droop | Yes |
| Input Voltage (Max) (V) | 26.5 |
| Input Voltage (Max) [Rail 1] (V) | 26.5 - 26.5 |
| Input Voltage (Min) (V) | 3 |
| Input Voltage (Min) [Rail 1] (V) | 3 |
| Integrated MOSFET Driver (s) | Yes |
| Lead Compliant | No |
| Length (mm) | 5 |
| MOQ | 1470 |
| Output Current (Max) [Rail 1] (A) | 60 |
| Output Voltage (Max) (V) | 23.85 |
| Output Voltage (Max) [Rail 1] (V) | 26.5 |
| Output Voltage (Min) (V) | 0.6 |
| Output Voltage (Min) [Rail 1] (V) | 0.6 |
| Outputs (#) | 2 |
| Outputs (Max) (#) | 2 |
| Parametric Applications | Power Supply for Datacom/Telecom and POL | Paralleling Power Module | Wide and Narrow Input Voltage Range Buck Regulators |
| Parametric Category | Buck Controllers (External FETs) |
| Phases (Max) | 2 |
| Pitch (mm) | 0.5 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.0 x 5.0 x 0.90 |
| Pkg. Type | QFN |
| Qualification Level | Standard |
| Switching Frequency Range (Typical) (kHz) | 150 - 1500 |
| Tape & Reel | No |
| Thickness (mm) | 0.9 |
| Topology [Rail 1] | Buck |
| VID | No VID |
| Width (mm) | 5 |
ISL8126 に関するリソース
説明
ISL8126は、2つの電圧モードPWM立上りエッジ変調制御と入力フィードフォワード同期整流降圧PWMコントローラを内蔵し、デュアル独立電圧レギュレータまたは2相シングル出力レギュレータを制御します。 また、パワーモジュールを並列に動作させるための電流共有制御も内蔵されているため、システムの柔軟性が高くなります。
ISL8126は、内部リニアレギュレータを内蔵しており、単一の電源レールのみのアプリケーション向けにICのバイアス電圧を生成します。内部発振器は150kHzから1.5MHz まで調整可能で、周波数同期および位相並列化アプリケーション用に外部クロック信号に同期できます。 そのPLL回路は、位相シフトプログラマブルクロック信号を出力して、システムを3、4、6、および12相に拡張し、システムのインターリーブ位相シフトを行うことができます。
ISL8126障害拡散機能は、システム障害や位相障害による過負荷/ストレスからチャネルを保護します。 低電圧障害保護機能は、降下時の出力電圧の負の過渡現象を防止するようにも設計されています。 これにより、逆出力電圧による損傷から負荷デバイスを保護するために一部のシステムで使用されるショットキーダイオードが不要になります。