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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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耐放射線性 DDRのVTTに最適な3Aソースおよびシンク可能なLDO、バッファリファレンス付き

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TQFP-EP
Pkg. Code:QMW
Lead Count (#):48
Pkg. Dimensions (mm):7.0 x 7.0 x 1.00
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

TID LDR (krad(Si))50
Pkg. TypeTQFP-EP
Pkg. Dimensions (mm)7.0 x 7.0 x 1.00
Qualification LevelRadiation Tolerant Plastic
Temp. Range (°C)-55 to +125°C
CAGE code34371
Carrier TypeReel
DSEE (MeV·cm2/mg)46
Die Sale Availability?No
FlowRT Plastic
IOUT (A)3
Input Voltage (Max) (V)5.5
Input Voltage (Min) (V)2.7
Lead Count (#)48
Length (mm)7
MOQ1000
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
PROTO Availability?No
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryNickel/Palladium/Gold-e4
Pitch (mm)0.5
RatingSpace
Supply Voltage (max) (V)5.5 - 5.5
Supply Voltage (min) (V)0.75 - 0.75
Thickness (mm)1
VDO @ IOUTMAX (Typ) (mV)122
VOUT (max) (V)4.1
VOUT (min) (V)0.5
Width (mm)7

説明

このISL75055Mは、DDRメモリのVTT 終端レールとVREF リファレンス電源に電力を供給するため、または汎用LDOとして使用するために設計された、耐放射線性、低ドロップアウトのリニアレギュレータです。 わずか600μVのデッドバンドクロスオーバーで3Aの電流をソースおよびシンクすることができ、2.7V〜5.5Vのバイアスと0.75V〜5.5VのLDO入力レールを分離して、高精度の出力レギュレーションを維持しながら内部損失を最小限に抑えます。 保護機能には、ソースとシンクの両方に対する個別に調整可能な過電流保護、および過熱保護が含まれます。

このISL75055Mは、48ピン薄型プラスTQFP-EPで提供され、-55°C〜+125°Cの軍用全温度範囲で動作します。