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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
耐放射線強化12VハーフブリッジGaN FETドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:QFN
Pkg. Code:LAG
Lead Count (#):20
Pkg. Dimensions (mm):5.0 x 5.0 x 0.90
Pitch (mm):0.7

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (ISL71441SLHMRZ)ダウンロード

製品スペック

Pkg. TypeQFN
Lead Count (#)20
Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryNickel/Palladium/Gold-Silver - e4
MOQ25
Temp. Range (°C)-55 to +125°C
CAGE code34371
Bus Voltage (Max) (V)12
DSEE (MeV·cm2/mg)86
Die Sale Availability?No
Driver TypeHalf Bridge
Drivers (#)2
FET TypeGaNFET
Fall Time25
FlowRH Plastic
Gate Drive (V)4.5
High Side Fall Time (max) (ns)25
High Side Rise Time (max) (ns)25
Input VCC (Max) (V)13.2
Input VCC (Min) (V)4.75
Length (mm)5
Low Side Fall Time (max) (ns)30
Low Side Rise Time (max) (ns)34
Models AvailablePSPICE, ISIM
Output TypeSynchronous
PROTO Availability?No
Peak Output Sink Current (A)4 (HS) /8 (LS)
Peak Output Source Current (A)2 (HS) /4 (LS)
Peak Sink Current (A)4A, 8A
Peak Source Current (A)2A, 4A
Pitch (mm)0.7
Pkg. Dimensions (mm)5.0 x 5.0 x 0.90
Qualification LevelPEMS
RatingSpace
Rise Time (Max)26
Supply Voltage (V)4.75 - 13.2
TID LDR (krad(Si))75
Thickness (mm)0.9
Turn-On Prop Delay (ns)29
Width (mm)5

説明

ISL71441SLHは、耐放射線強化を施したPWM入力12VハーフブリッジGaN FETドライバであり、DC/DCスイッチング・レギュレータ用の低いRDS(ON)ガリウムナイトライド(GaN)FETを駆動します。統合されたプログラマブルGaNFETゲートドライブ電圧、ハイサイドのブートストラップスイッチ、および強力なゲートドライブ電流により、小型で堅牢なGaN FETハーフブリッジドライバを実現します。

ISL71441SLHは、ISL73847SLHデュアルフェーズPWM降圧コントローラののGaN FETドライバとして使用でき、最新の低電圧・大電流FPGAやDSPデジタルコア電源などに対応する高効率のポイントオブロード(POL)レギュレータを構成することができます。