特長
- ルネサス認定耐放射線プラスチック製品およびQCIフロー（R34ZZ0006EU）
- すべてのスクリーニングおよびQCIはSAE AS6294/1に準拠
- 最大20Vのブートストラップ電圧ハーフブリッジドライバ
- プログラム可能なゲートドライブ電圧：4.5V～5.5V
- 単一の3レベルPWM入力制御
- 個別のソースドライバとシンクドライバの出力
- ハイサイドピークドライブ：2Aソース、4Aシンク
- ローサイドピークドライブ：4Aソース、8Aシンク
- ハイサイドおよびローサイドのプログラム可能なデッドタイム
- 高度にマッチの高速伝搬遅延：29ns
- 完全な軍用温度での運用：TA = -55℃～125℃の周囲温度範囲
- 20Ldプラスチック 5x5mm QFNパッケージ
- TID Rad Hard Assurance(RHA)試験
- LDR (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
- SEE特性評価
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、VDD = 20V、PHS = 13.5V、PVCC = 6.5V、AVCC = 6.3VでDSEEなし
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、SEFI <10µm2
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、ハーフブリッジのシュートスルーなし
説明
ISL71441SLHは、耐放射線強化を施したPWM入力12VハーフブリッジGaN FETドライバであり、DC/DCスイッチング・レギュレータ用の低いRDS（ON）ガリウムナイトライド（GaN）FETを駆動します。統合されたプログラマブルGaNFETゲートドライブ電圧、ハイサイドのブートストラップスイッチ、および強力なゲートドライブ電流により、小型で堅牢なGaN FETハーフブリッジドライバを実現します。
ISL71441SLHは、ISL73847SLHデュアルフェーズPWM降圧コントローラののGaN FETドライバとして使用でき、最新の低電圧・大電流FPGAやDSPデジタルコア電源などに対応する高効率のポイントオブロード（POL）レギュレータを構成することができます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Rating | Space |
| Bus Voltage (Max) (V) | 12 |
| Driver Type | Half Bridge |
| FET Type | GaNFET |
| High Side Rise Time (max) (ns) | 25 |
| High Side Fall Time (max) (ns) | 25 |
| Input VCC (Min) (V) | 4.75 |
| Input VCC (Max) (V) | 13.2 |
| Low Side Rise Time (max) (ns) | 34 |
| Low Side Fall Time (max) (ns) | 30 |
| Drivers (#) | 2 |
| Output Type | Synchronous |
| Peak Output Source Current (A) | 2 (HS) /4 (LS) |
| Peak Output Sink Current (A) | 4 (HS) /8 (LS) |
| Gate Drive (V) | 4.5 |
| Temp. Range (°C) | -55 to +125°C |
| TID LDR (krad(Si)) | 75 |
| DSEE (MeV·cm2/mg) | 86 |
| Flow | RH Plastic |
| Qualification Level | PEMS |
| Die Sale Availability? | No |
| PROTO Availability? | No |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 5.0 x 5.0 x 0.90 | 20 | 0.7 |
アプリケーション
- FPGAおよびDSPの電源レールに最適な大電流DC/DCポイントオブロード（POL）
- 5Vまたは12V入力から1V出力ポイントオブロード（POL）レギュレーション
- GaN FETモータドライバ
- ISL73847SLH DC/DC PWMコントローラとルネサス製GaN FETを組み合わせることで、完全なDC/DCソリューションを実現
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