特長
- Electrically screened to DLA SMD 5962-18217
- Wide operating voltage range: 3V to 40V
- High initial accuracy (+V = 20V at +25°C): ±0.34%
- High output impedance: 189MΩ (typical)
- Completely floating: No ground connection
- Radiation acceptance testing
- High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
- SEE hardness
- No SEB/SEL LETTH, +V = 35V: 86MeV•cm2/mg
- SET duration (time recovery) ≤ 125µs
説明
The ISL70591SEH is a radiation hardened precision 100µA current source IC. The device has excellent accuracy of ±1% over a wide operating voltage range of 3V to 40V and over a temperature range of -55°C to +125°C. Fabricated with the Renesas proprietary PR40 Silicon-on-Insulator (SOI) process, the device is immune to single-event latch-up. The high output impedance of the device makes it insensitive to voltage drops across long lines. It can withstand a forward operating voltage of 40V and a reverse voltage of -0.5V. The ISL7x591SEH and ISL7x592SEH are two-terminal floating current sources allowing them to be used in high-side, low-side, and dual-side load applications such as sensor excitation, biasing networks, low-voltage references, floating voltage references, and ramp generators. The current sources were primarily designed for thermistor and other sensor excitation applications widely used in spacecraft. The device is available in a 4 Ld ceramic flatpack and die forms. The temperature range is -55°C to +125°C.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Rating | Space |
| Accuracy | ±0.34% |
| Continuous Output Current (mA) | 0.1 |
| Output Impedance (MΩ) | 189 |
| Supply Voltage (min) (V) | 3 - 3 |
| Supply Voltage (max) (V) | 40 - 40 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C, -55 to +125°C |
| TID HDR (krad(Si)) | 100 |
| TID LDR (krad(Si)) | 75 |
| DSEE (MeV·cm2/mg) | 86 |
| Flow | RH Hermetic |
| Qualification Level | Class V, EM |
| Die Sale Availability? | Yes |
| PROTO Availability? | Yes |
アプリケーション
- Sensor excitation
- Biasing network
- Low-voltage references
- Ramp generators
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | DLA SMD | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | MOQ | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL70591SEHF/PROTO | Active | Available | In Stock | CFP | 4# | Tray | Not Applicable | 2.5mm | 4.2 x 6.5 x 0.00 | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 1 | 34371 | |
| ISL70591SEHVF | Active | N/A | In Stock | CFP | 4# | Tray | Not Applicable | 2.5mm | 4.2 x 6.5 x 0.00 | 5962R1821701VXC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | 34371 |
| ISL70591SEHVX | Active | N/A | Out of Stock | DIE | 5962R1821701VXC | No | 100 | 34371 | ||||||
| ISL70591SEHX/SAMPLE | Active | N/A | Out of Stock | Package | Die Waffle Pack | Not Applicable | 0.0 x 0.0 x 0.00 | Yes | Not Applicable | 1 | 34371 |
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- レポート英語PDF 347 KB isl70591seh-total-dose-test-report 2018年8月15日
- データシート英語PDF 780 KB isl70591seh-0592seh-3591seh-3592seh 2018年8月06日
- レポート英語PDF 716 KB isl7059xseh-359xseh-see-test-report 2018年5月17日
- アプリケーションノート英語PDF 338 KB an9867 1999年11月10日AI生成コンテンツ: Electrical parameters are monitored during life testing to detect drift and failures, defined by exceeding datasheet limits. New products require less than 1% failure during burn-in, with failure analysis and corrective actions if exceeded. Sampling plans ensure defect rates below 3%. Life tests last 1000-3000 hours at 125°C depending on process maturity. Failure mechanisms include electromigration, ionic contamination, hot carrier injection, and dielectric rupture. Product sign-off requires all parties' approval after reliability confirmation. Space products undergo burn-in and quality conformance inspections with strict failure limits. Derating is unnecessary as datasheet limits are set at 6-sigma from characterization data, ensuring reliability.
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
- データシート英語PDF 780 KB isl70591seh-0592seh-3591seh-3592seh 2018年8月06日
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ISL70591SEHEVAL1Z
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Radiation Hardened 100µA Precision Constant Current Source Evaluation Board
The ISL70591SEHEVAL1Z evaluation board provides a quick and easy method for evaluating the ISL70591SEH radiation hardened 100µA precision constant current source designed for thermistor and other resistive sensor excitation applications. Its two-terminal floating type topology allows the load to... 続きを読む
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