評価ボードおよびキット
ISL70040SEHEV3Z アクティブ
Evaluation Board for the ISL70040SEH and ISL70024SEH (200V GaN FET)
The ISL70040SEHEV3Z evaluation platform is designed to evaluate the ISL70040SEH radiation hardened low side GaN FET driver alongside the ISL70023SEH and ISL70024SEH enhancement mode GaN power transistors.
The ISL70040SEH is designed to drive enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in... 続きを読む
ISL73040SEHEV4Z アクティブ
耐放射線ローサイドGaN FETドライバおよびGaN FET
ISL73040SEHEV4Z評価ボードは、ISL73040SEHローサイドGaNドライバとISL73024SEH 200V GaN FETを使用してハーフブリッジパワーステージを構築する方法を示します。ISL73040SEHは、4.5Vゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、ISL73024SEHを構成するGaN FETの最大ゲートソース定格を超えることを防止する、内部レギュレータを使用して生成されます。ISL73024SEHは、7.5Aのドレイン電流に対応する200V GaN FETです。