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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
高精度低ノイズJFETオペアンプ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:MUX
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):4.9 x 3.9 x 0.00
Pitch (mm):1.3

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)2
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.33.0001
RoHS (ISL28110FBZ-T7)ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#)8
Carrier TypeReel
Moisture Sensitivity Level (MSL)2
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range (°C)-40 to +125°C
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationUSA
AVOL (dB)108
Bandwidth (MHz)12.5
CMRR (dB)100
Channels (#)1
EnableNo
Gain Min1
IBIAS (nA)0.0003
IOUT (A)0.05
IS per Amp (mA)2.55
Length (mm)4.9
MOQ2000
Noise VN (nV/√Hz)6
Offset Voltage (Max) (mV)0.3
PSRR (db)115
Pitch (mm)1.3
Pkg. Dimensions (mm)4.9 x 3.9 x 0.00
Pkg. TypeSOICN
Qualification LevelStandard
Rail-to-Rail InputNo
Rail-to-Rail OutputNo
Single Supply Voltage Range (V)9 - 40
Slew Rate (V/µs)23
Thermal ShutdownNo
Topology [Rail 1]VFA
VOUT (V)39.2
VS (Max) (V)40
VS (Min) (V)9
Width (mm)3.9
field__slew_rate_typical_23

説明

ISL28110, ISL28210は低ノイズ、高スルーレート、低入力バイアス電流とオフセット電圧を特徴とするシングルおよびデュアルJFETアンプで、高精度と低ノイズが重要なハイインピーダンスアプリケーションに理想的な選択となります。高精度、低ノイズ、高速性を兼ね備え、フットプリントが小さいため、競合する類似部品と比較して優れた価値と柔軟性を提供します。本アンプの用途として、精密医療・分析機器、センサ・コンディショニング、精密電源制御、産業用制御機器、フォトダイオードアンプなどが挙げられます。ISL28110シングル・アンプとISL28210デュアル・アンプは8Ld SOICパッケージで提供されます。すべてのデバイスは標準的なピン構成で提供され、-40℃から+125℃の拡張温度範囲で動作します。