特長
- QML Class T, Per MIL-PRF-38535
- Radiation Performance
- Gamma Dose 1 x 105 RAD(Si)
- SEU and SEL Immune to 100MeV/mg/cm2
- EIA RS-422 Compatible Outputs (Except for IOS)
- CMOS Compatible Inputs
- High Impedance Outputs when Disabled or Powered Down
- Low Power Dissipation 2.75mW Standby (Max)
- Single 5V Supply
- Low Output Impedance 10Ω or Less
- Full -55°C to +125°C Military Temperature Range
- Electrically screened to SMD# 5962-96663
HS-26C31RH-T Functional Diagram
説明
Intersil's Satellite Applications Flow™ (SAF) devices are fully tested and guaranteed to 100kRAD total dose. These QML Class T devices are processed to a standard flow intended to meet the cost and shorter lead-time needs of large volume satellite manufacturers, while maintaining a high level of reliability. The Intersil HS-26C31RH-T is a Quad Differential Line Driver designed for digital data transmission over balanced lines and meets the requirements of EIA Standard RS-422. Radiation Hardened CMOS processing assures low power consumption, High-Speed, and reliable operation in the most severe radiation environments. The HS-26C31RH-T accepts CMOS inputs and converts them to RS-422 compatible outputs. This circuit uses special outputs that enable the drivers to power down without loading down the bus. Enable and disable pins allow several devices to be connected to the same data source and addressed independently.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Rating | Space |
| Input High Voltage Range | 0.7 VDD |
| Input Low Voltage Range | 0.3 VDD |
| Supply Voltage (min) (V) | 4.5 - 4.5 |
| Supply Voltage (max) (V) | 5.5 - 5.5 |
| Temp. Range (°C) | -55 to +125°C |
| TID HDR (krad(Si)) | 100 |
| DSEE (MeV·cm2/mg) | 100 |
| Flow | RH Hermetic |
| Qualification Level | Class T |
| Die Sale Availability? | No |
| PROTO Availability? | No |
アプリケーション
- Line Transmitter for MIL-STD-1553 Serial Data Bus
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Pkg. Dimensions (mm) | DLA SMD | Pb (Lead) Free | MOQ | Temp. Range (°C) | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HS1-26C31RH-T | Active | N/A | Out of Stock | SBDIP | 16# | 7 x 20 x 5.08 | 5962R9666301TEC | Yes | 450 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS9-26C31RH-T | Active | N/A | Out of Stock | CFP | 16# | 7 x 10 x 2.92 | 5962R9666301TXC | Yes | 450 | -55 to +125°C | 34371 |
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- トレーニング英語PDF 719 KB R15TB0008EU0100 Rev.1.00 2023年12月18日
- トレーニング英語PDF 762 KB R15TB0007EU0100 Rev.1.00 2023年12月04日
- トレーニング英語PDF 208 KB R15TB0004EU0100 Rev.1.00 2023年10月26日
- トレーニング英語PDF 405 KB R15TB0003EU0100 Rev.1.00 2023年6月26日
- トレーニング英語PDF 239 KB R15TB0002EU0100 Rev.1.00 2023年6月21日
- アプリケーションノート英語PDF 366 KB R15AN0011EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日AI生成コンテンツ: This document provides detailed guidance on RS-485 transceiver design and application. It covers key topics such as design checklists, interfacing 5V transceivers with 3V controllers, mixing 3.3V and 5V transceivers on the same bus, and using high-speed transceivers at lower data rates. It explains maximum stub lengths, wiring differential inputs to accept single-ended signals, and proper bus termination. The document also discusses transient protection methods and highlights the benefits of specific transceiver models. Practical formulas and diagrams support implementation and troubleshooting in RS-485 networks.
- レポート英語PDF 438 KB R15AN0009EU0100 Rev.1.00 2022年3月04日
- 価格変更のお知らせ英語PDF 360 KB PIN19011 2019年4月10日
- 製品アドバイザリ英語PDF 499 KB PA11003 2011年1月05日
- 製品変更通知英語PDF 230 KB PCN10123 2010年12月06日
- アプリケーションノート英語PDF 301 KB an9519 2002年1月10日AI生成コンテンツ: The HS-26C(T)31RH radiation-hardened RS-422 line driver uses source termination resistors to match transmission line impedance, minimizing current and EMI. It features a BiCMOS output stage for power-off isolation and high drive capability, supporting cross-strapping in space systems. The device offers constant output impedance, high output current, and excellent radiation tolerance up to 300k RAD. It reduces power dissipation compared to CMOS and bipolar types while maintaining strong signal integrity and noise immunity.
- アプリケーションノート英語PDF 338 KB an9867 1999年11月10日AI生成コンテンツ: Electrical parameters are monitored during life testing to detect drift and failures, defined by exceeding datasheet limits. New products require less than 1% failure during burn-in, with failure analysis and corrective actions if exceeded. Sampling plans ensure defect rates below 3%. Life tests last 1000-3000 hours at 125°C depending on process maturity. Failure mechanisms include electromigration, ionic contamination, hot carrier injection, and dielectric rupture. Product sign-off requires all parties' approval after reliability confirmation. Space products undergo burn-in and quality conformance inspections with strict failure limits. Derating is unnecessary as datasheet limits are set at 6-sigma from characterization data, ensuring reliability.
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- アプリケーションノート英語PDF 366 KB R15AN0011EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日AI生成コンテンツ: This document provides detailed guidance on RS-485 transceiver design and application. It covers key topics such as design checklists, interfacing 5V transceivers with 3V controllers, mixing 3.3V and 5V transceivers on the same bus, and using high-speed transceivers at lower data rates. It explains maximum stub lengths, wiring differential inputs to accept single-ended signals, and proper bus termination. The document also discusses transient protection methods and highlights the benefits of specific transceiver models. Practical formulas and diagrams support implementation and troubleshooting in RS-485 networks.
- アプリケーションノート英語PDF 301 KB an9519 2002年1月10日AI生成コンテンツ: The HS-26C(T)31RH radiation-hardened RS-422 line driver uses source termination resistors to match transmission line impedance, minimizing current and EMI. It features a BiCMOS output stage for power-off isolation and high drive capability, supporting cross-strapping in space systems. The device offers constant output impedance, high output current, and excellent radiation tolerance up to 300k RAD. It reduces power dissipation compared to CMOS and bipolar types while maintaining strong signal integrity and noise immunity.
- アプリケーションノート英語PDF 338 KB an9867 1999年11月10日AI生成コンテンツ: Electrical parameters are monitored during life testing to detect drift and failures, defined by exceeding datasheet limits. New products require less than 1% failure during burn-in, with failure analysis and corrective actions if exceeded. Sampling plans ensure defect rates below 3%. Life tests last 1000-3000 hours at 125°C depending on process maturity. Failure mechanisms include electromigration, ionic contamination, hot carrier injection, and dielectric rupture. Product sign-off requires all parties' approval after reliability confirmation. Space products undergo burn-in and quality conformance inspections with strict failure limits. Derating is unnecessary as datasheet limits are set at 6-sigma from characterization data, ensuring reliability.
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (4)
- 価格変更のお知らせ英語PDF 360 KB PIN19011 2019年4月10日
- 製品アドバイザリ英語PDF 499 KB PA11003 2011年1月05日
- 製品変更通知英語PDF 230 KB PCN10123 2010年12月06日
製品通知（PCN、EOLなど） (3)
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マーケティング資料 (6)
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