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80V/1.25Aピーク電流 フルブリッジFETドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:MCG
Lead Count (#):16
Pkg. Dimensions (mm):9.9 x 3.9 x 0.00
Pitch (mm):1.3

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (HIP4082IBZT)ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#)16
Carrier TypeReel
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pitch (mm)1.3
Pkg. Dimensions (mm)9.9 x 3.9 x 0.00
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range (°C)-55 to +125°C
Country of AssemblyCHINA, MALAYSIA
Country of Wafer FabricationUSA
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V)95
Charge PumpNo
Fall Time9
Input Logic Level3.3V/TTL
Length (mm)9.9
Longevity2033 12月
MOQ5000
Parametric CategoryHalf-Bridge FET Drivers
Peak Pull-down Current (A)1.3
Peak Pull-up Current (A)1.4
Pkg. TypeSOICN
Price (USD)$3.2142
Qualification LevelStandard
Rise Time (μs)0.009
Turn-Off Prop Delay (ns)55
Turn-On Prop Delay (ns)75
VBIAS (Max) (V)15
Width (mm)3.9

説明

HIP4082は中周波、中電圧のHブリッジNチャンネルMOSFETドライバICで、16ピンプラスチックSOIC(N)およびDIPパッケージで提供されます。特にPWMモーター制御やUPSアプリケーションをターゲットとしており、ブリッジベースの設計はHIP4082のHブリッジドライバでシンプルかつ柔軟に行うことができます。最大80Vで動作するこのデバイスは中程度の電力レベルのアプリケーションに最適です。HIP4081と同様に、シュートスルー状態を引き起こすものを除き、あらゆるスイッチの組み合わせを駆動するための柔軟な入力プロトコルを備えています。HIP4082は駆動電流が少ないため小型化が可能で、プログラム可能なデッドタイムの範囲が広く(0.1~4.5μs)、最大200kHzのスイッチング周波数に最適です。HIP4082はチャージポンプを内蔵していませんが、上流の駆動回路にノンラッチレベルシフトトランスレーション制御を採用しており、サイズとコストを重視するアプリケーションに最適な機能・仕様となっています。より高い駆動能力を必要とするアプリケーションには、HIP4080AおよびHIP4081Aをお勧めします。