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60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: SOIC
Pkg. Code: MOU
Lead Count (#): 8
Pkg. Dimensions (mm): 4.9 x 3.9 x 1.5
Pitch (mm): 1.27

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8542.39.0090
RoHS (HIP2103FBZ-T) ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#) 8
Carrier Type Reel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pitch (mm) 1.3
Pkg. Dimensions (mm) 4.9 x 3.9 x 0.00
Pb (Lead) Free Yes
Pb Free Category Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range (°C) -40 to +125°C
Country of Assembly TAIWAN
Country of Wafer Fabrication TAIWAN
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) 60
Charge Pump No
Fall Time 17
Input Logic Level 3.3V/TTL
Length (mm) 4.9
MOQ 2500
Parametric Category Half-Bridge FET Drivers
Peak Pull-down Current (A) 2
Peak Pull-up Current (A) 1
Pkg. Type SOICN
Qualification Level Standard
Rise Time (μs) 0.021
Turn-Off Prop Delay (ns) 30
Turn-On Prop Delay (ns) 28
VBIAS (Max) (V) 14
Width (mm) 3.9

説明

HIP2103 はDC モータ,三相ブラシレス DC モータ,またはその他同様の負荷が掛かる.アプリケーション向けに設計されたハーフブリッジドライバです。2つの入力端子(HI、LI)により、ハイサイドドライバ(HO)、ローサイドドライバ(LO)を独立に制御します。HIとLIはイネーブル/ディセーブルの設定が可能であり、マイコンとの接続数を減らしてコストを低減できます。スリープモード時のIDDバイアス電流が小さいため、デバイスが使用されていない時のバッテリー消耗を防ぐことができ、ドライバーをバッテリーから切り離すための外部スイッチが不要になります。すべての入力(LI、HI、VDen、VCen)にプルダウン抵抗を内蔵しているため、外部抵抗の必要性が軽減されます。LO出力のアクティブ-ロー抵抗プルダウンにより、スリープモード時やVDDが低電圧誤動作防止(UVLO)スレッショルド以下の時にローサイドブリッジFETがオフのままになります。