特長
- Devices QML qualified in accordance with MIL-PRF-38535
- Detailed electrical and screening requirements are contained in SMD# 5962-96710 and Renesas' Intersil QM Plan
- 1.25 micron radiation hardened SOS CMOS
- Total dose >300K RAD (Si)
- Single Event Upset (SEU) immunity: <1 x 10-10 errors/bit/day (Typ)
- SEU LET threshold >100 MEV-cm2/mg
- Dose rate upset >1011 RAD (Si)/s, 20ns pulse
- Dose rate survivability >1012 RAD (Si)/s, 20ns pulse
- Latch-up free under any conditions
- Military temperature range -55 °C to +125 °C
- Significant power reduction compared to ALSTTL logic
- DC operating voltage range 4.5V to 5.5V
- Input logic levels
- VIL = 30% of VCC Max
- VIH = 70% of VCC Min
- Input current ≤1µA at VOL, VOH
- Fast propagation delay 17ns (Max), 12ns (Typ)
説明
The Intersil ACS541MS is a radiation hardened octal buffer/line driver, with three-state outputs. The output enable pins OE1, OE2 control the three-state outputs. If either enable is high, the output will be in a high impedance state. For data output, both enables must be low. The ACS541MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of the radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS logic family. The ACS541MS is supplied in a 20-lead ceramic flatpack (K suffix) or a ceramic dual in-line package (D suffix).
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | DLA SMD | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | MOQ | Temp. Range (°C) | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACS541HMSR-02 | Last Time Buy | Available | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | DIE | Die Waffle Pack | Not Applicable | 0.0 x 0.0 x 0.00 | 5962F9671002V9A | Yes | None | 100 | -55 to +125°C | 34371 | ||
| ACS541KMSR-02 | Obsolete | N/A | Out of Stock | Contact | CFP | 20# | Tray | Not Applicable | 1.3mm | 12.7 x 7.5 x 0.00 | 5962F9671002VXC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
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- 製品変更通知英語PDF 230 KB PCN10123 2010年12月06日
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (1)
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