メインコンテンツに移動
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Available in 100 -pin TQFP package

説明

The 71V3578 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 18. The 71V3578 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

パラメータ

属性
Density (Kb)4608
Bus Width (bits)18
Core Voltage (V)3.3
Pkg. CodePKG100
Organization256K x 18
I/O Voltage (V)3.3 - 3.3
I/O Frequency (MHz)150 - 150
Temp. Range (°C)-40 to 85°C
ArchitectureSynch Burst
Output TypePipelined

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
TQFP20.0 x 14.0 x 1.41000.65
Part NumberStatusSamplesStockPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Temp. GradePb (Lead) FreeCarrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
71V3578S150PFGIActiveN/AIn StockTQFP1ku | $7.89100#IYesTray3TAIWANTAIWAN, USA
71V3578S133PFGObsoleteN/AIn StockTQFP100#CYesTray3
71V3578S133PFG8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#CYesReel3
71V3578S133PFGIObsoleteN/AIn StockTQFP100#IYesTray3
71V3578S133PFGI8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#IYesReel3
71V3578S150PFGObsoleteN/AIn StockTQFP100#CYesTray3
71V3578S150PFG8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#CYesReel3
71V3578S150PFGI8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#IYesReel3
サポートコミュニティ

サポートコミュニティ

ルネサスエンジニアリングコミュニティの技術スタッフから迅速なオンライン技術サポートを受けることができます。
記事を参照する

ナレッジベース

ナレッジベースを参照して、役立つ記事、FAQ、その他の役立つリソースを入手してください。
サポートチケット

サポートチケット

技術的に深い内容や公開したくない内容のご質問はこちらです。