概要
説明
RTDACHB0000RS-MF-1評価キットは、ルネサスのMCU により制御される 110mΩ 双方向スイッチ（BDS）TOLTデバイスを2個搭載し、実際の電力変換トポロジにおけるスイッチングセルを模擬したBDSの変調、動作、およびソフトスイッチング挙動を評価するための柔軟なプラットフォームを提供します。
このプラグ＆プレイ対応ボードにより、ユーザーはルネサスのGaN BDSデバイスのソフトスイッチング時のスイッチング特性を簡単に観測できます。 AC入力と補助電源を接続するだけで、BDSの機能評価が可能となり、コンバータ開発の効率化を促進します。
特長
- 複数トポロジの基本ブロックとして利用可能なハーフブリッジGaN BDS構成
- GaN BDSの変調および動作評価のための柔軟なプラットフォーム
- ハーフブリッジ用の複数の駆動オプション
- MCUによるPWM生成
- ユーザ供給PWM 信号への対応
- 車載向けACゼロクロス検出回路
- ZVS（ゼロ電圧スイッチング）によるソフトスイッチング動作
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- AIインフラ
- 車載オンボードチャージャ（OBC）
- 無停電電源装置（UPS）
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| マニュアル－ハードウェア |
PDF
4.44 MB
The RTDACHB0000RS-MF-1 evaluation board is designed to evaluate the 650V TP65B110HRU device. The
board utilizes the pre-programmed Renesas R5F526TAAGFL#50 MCU to operate the board in a simple plug-and-play method.
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| ホワイトペーパー | PDF 3.17 MB | |
2件
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製品選択
| 型名 | 状態 | 在庫 | 参考価格（米ドル） | Sampleable |
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| RTDACHB0000RS-MF-1 | Active | 在庫切れ | 1u | $500 | Available |
ビデオ&トレーニング
The TP65B110HRU High‑Voltage GaN Bidirectional Switch features a ±650V rating with ±800V transient capability, a high 3V gate threshold, and a ±20V gate‑source voltage range. It delivers low reverse‑conduction loss, high dv/dt immunity greater than 100V/ns, and robust 2kV HBM ESD performance. Its compact TOLT package and bidirectional architecture make it well‑suited for efficient, high‑performance power designs requiring reliable switching in both directions.
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