ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、サーバ用DDR5レジスタードDIMM（Registered Dual Inline Memory Module: RDIMM）向けに、第6世代のレジスタードクロックドライバ（RCD）「RRG5006x」を開発しました。新RCDは、業界最速クラスのデータ転送速度9600MT/s（メガトランスファ/秒）を実現し、従来の第5世代RCDの8800MT/sから10%向上しました。第6世代RCDは、高速化に対応するだけでなく、次世代サーバプラットフォームの厳しい要件を満たすように設計されており、堅牢性、信頼性、拡張性を備えています。ルネサスは本日より、主要なDRAMサプライヤを含む一部ユーザ向けに、新RCDのサンプル出荷を開始しました。量産開始は2027年上半期を予定しています。
昨今、AIやHPC分野が拡大する中、データセンタのコンピューティング能力の向上に伴い、DDR5 RDIMMもメモリ帯域幅の拡大が求められています。ルネサスは、CPUやメモリメーカをはじめとする業界のリーディング企業やエンドユーザと連携し、これまで幅広いメモリインタフェース製品の提供を通じて様々なDIMMの設計、開発、展開をサポートしてきました。中でもRCDは安定したクロックを各メモリチップに分配することで、動作の安定性を高める重要な役割を果たします。ルネサスはシグナルインテグリティと電力最適化に関する豊富な専門知識を活かし、DDR5用RCDをリードしており、今回も業界に先駆けて9600MT/sを実現する新製品を開発しました。
ルネサスのVice President 兼 General Manager、メモリインタフェース事業部のSameer Kuppahalliは次のように述べています。「生成AIの爆発的な成長に伴い、SoCのコア数は増加し続けています。その結果、データセンタの性能を支える基盤であるメモリの帯域幅と容量をさらに向上したいというニーズが、これまでになく高まっています。ルネサスの第6世代DDR5 RCDは、当社のメモリインタフェースにおける技術革新と先駆的な開発、そして市場のニーズをいち早く捉えたソリューションの提供に、継続して取り組んできた成果です。」
サムスン電子のDRAM Product PlanningのVPであるIndong Kim氏は次のように述べています。「サムスンは、何世代ものメモリインタフェース部品でルネサスと協業してきました。第5世代DDR5 RCDとPMIC 5030の認定取得もそうした取り組みの一例です。私たちは第6世代RCDをDDR5 DIMMに統合できたことを嬉しく思います。これで複数のSoCプラットフォームにおいて、AI、HPC、その他のメモリ集約型ワークロードの需要増に対応可能になります。」
ルネサスの第6世代DDR5 RCDの主な特長
- 第5世代RCD「RRG5005x（8800MT/s）」よりデータ転送速度が10%向上し、9600MT/sを実現
- 第5世代プラットフォームとの下位互換性により、シームレスなアップグレードが可能
- シグナルインテグリティと電力効率が向上したことにより、AI、ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）、大規模言語モデル（LLM）など、高速演算処理の負荷に対応
- 拡張型ディシジョン・フィードバック・イコライゼーション（DFE）アーキテクチャにより、過去8回分の信号データを使って（8タップ）、1.5mVごとに補正値を調整可能。これにより、信号の品質を高く保てるため、エラーを低減
- ディシジョンエンジン・シグナル・テレメトリー＆マージニング（DESTM）機能により、システムレベルの診断機能が向上。リアルタイムの信号品質表示、マージンの可視化、および診断フィードバックが可能になり高速通信でも安定した動作をサポート
SC25への出展
ルネサスは、2025年11月16日～21日に米国セントルイスで開催されるHPCの最新技術を中心としたSC25カンファレンスのブース番号4101にて、メモリインタフェースソリューションの展示を行う予定です。
ルネサスのDDR5ソリューションについては、www.renesas.com/DDR5をご覧ください。現在、一般販売されているDDR5 RCDは、第1世代「5RCD0148（4800MT/s）」、第2世代「RG5R256（5600MT/s）」、第3世代「RG5R364（6400MT/s）」、第4世代「RRG5004x（7200MT/s）」です。新RCDについてさらに詳しい情報を希望される場合は、メールで[email protected]までお問い合わせください。
以 上
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