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Networking Solutions

ルネサスは、企業内ネットワーク、ネットワークスイッチ/ルーター、インターネットアクセスやネットワークセキュリティ等の幅広いアプリケーションを長年サポートしてきました。一方、現代のクラウドにおけるデータ活用の爆発的な普及により、今後のネットワークアーキテクチャには従来以上に柔軟性や拡張性が求められています。
ルネサスの情報通信ネットワークソリューションは、最高レベルのパフォーマンスや信頼性に加え、システムに最適化した拡張性を提供することで、お客様のタイムリーな市場参入を可能にします。

推奨ルネサスデバイス

メモリ

半導体デバイス 推奨製品 特長等
高速SRAM QDR-II/II+, DDR-II/II+ 18Mb-144Mb
高速ランダムアクセスメモリ
QDR規格準拠
高速DRAM LLDRAM-II/III 288Mb-1.1Gb
高速ランダムアクセス&低消費電力DRAM
Search Engine NSE 20Mb-80Mb
高性能パケットヘッダ検索向け
低消費電力SRAM LP SRAM 256Kb-64Mb
幅広いラインナップ

光トランシーバー

半導体デバイス 推奨製品 特長等
MCU RX651 高性能(32MHz)・低消費電力
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
I2Cバスインターフェース(ファーストモード+1Mbpsサポート)
RX231 高性能(54MHz)・低消費電力・小型PKG
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
RX111 高性能(32MHz)・低消費電力・小型PKG
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
LD/PD DFB-LD 25Gbpsサポート
ダイレクト変調
4波長で100Gbps対応(25Gbps × 4チャネル)

パワーマネジメント

半導体デバイス 推奨製品 特長等
IGBT RBNxxH65T1シリーズ インバータ用IGBT(UPS, 太陽光発電, 他)
高効率(高速スイッチング+低VCEsat)
高堅牢性(最大VGE=±30V, MAXジャンクション温度:175 ℃)
RBNxxH125S1シリーズ
フォトカプラ トランジスタ出力
IC出力
IGBT駆動/アイソレーションアンプ/通信用を含む、幅広いラインナップ

関連ソリューション

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
LLDRAM-Ⅲ Exact Match Searchソリューション English その他資料 PDF 888 KB
ネットワークサーチエンジン『R8A20686BG-G』コントロールIPソリューション English その他資料 PDF 1.08 MB
LLDRAM-Ⅲ コントロールIPソリューション English その他資料 PDF 727 KB

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