窒化ガリウムFET(GaN)FETドライバー

幅広い用途に対応する高電力密度の堅牢なソリューション

ルネサスのGaN FETドライバは、商用および耐放射線性システム向けに、絶縁型および非絶縁型のトポロジで窒化ガリウム（GaN）FETを駆動するように設計されています。

ハイサイド／ローサイドドライバを搭載し、ハーフブリッジ（HB）およびフルブリッジ（FB）トポロジ向けに最適化され、部品点数を最小限に抑えています。

革新的な技術により、GaNデバイスの損失を最小限に抑え、効率を向上させ、堅牢な設計を実現します。

ルネサスのトータルソリューションは、PWMおよびSRコントローラを組み合わせ、先進的な省電力技術を活用してグリーン電力設計を実現します。

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