概要

説明

NP20P06SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャンネルMOS電界効果トランジスタです。

特長

  • 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 48 mΩ最大(VGS = −10 V, ID = −10 A)RDS(on)2 = 64 mΩ最大(VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
  • 低入力容量 Ciss = 1650 pF (代表値)
  • ゲート保護ダイオード内蔵

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.31 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

モデル