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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • Pb-free Available as an Option
  • High Gain Bandwidth Product (fT) 10GHz
  • High Power Gain Bandwidth Product 5GHz
  • Current Gain (hFE) 70
  • Low Noise Figure (Transistor) 3.5dB
  • Excellent hFE and VBE Matching
  • Low Collector Leakage Current <0.01nA
  • Pin to Pin Compatible to UPA101

説明

The HFA3101 is an all NPN transistor array configured as a Multiplier Cell. Based on Intersil's bonded wafer UHF-1 SOI process, this array achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics that have been maximized through careful attention to circuit design and layout, making this product ideal for communication circuits. For use in mixer applications, the cell provides high gain and good cancellation of 2nd order distortion terms.

アプリケーション

  • Balanced Mixers
  • Multipliers
  • Demodulators/Modulators
  • Automatic Gain Control Circuits
  • Phase Detectors
  • Fiber Optic Signal Processing
  • Wireless Communication Systems
  • Wide Band Amplification Stages
  • Radio and Satellite Communications
  • High Performance Instrumentation
Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageLead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreePb Free CategoryTemp. Range (°C)
HFA3101BZObsoleteN/AOut of StockRoHS:EN
SOICN8#Tube1YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +85°C
HFA3101BZ96ObsoleteN/AOut of StockRoHS:EN
SOICN8#Reel1YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +85°C
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