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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
N-Channel Mos Field Effect Transistor For Switching

パッケージ情報

Pkg. Type:EFLIP(LGA)
Pkg. Code:pkg_7581
Lead Count (#):4
Pkg. Dimensions (mm):1 x 1 x 0.25
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Pb (Lead) FreeYes
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Lead Count (#)4
Carrier TypeEmbossed Tape
Pb (Lead) FreeYes
ApplicationIndustrial, Consumer Use
Channels (#)2
Ciss (Typical) (pF)720
ID (A)4
Lead CompliantYes
Length (mm)1
MOQ5000
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)0.75
Pkg. Dimensions (mm)1 x 1 x 0.25
Pkg. TypeEFLIP(LGA)
Qg typ (nC)5
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @2.5V or 1.8V (mohm)67
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)43
Tape & ReelNo
Thickness (mm)0.25
VDSS (Max) (V)24
VGSS (V)12
Vgs (off) (Max) (V)1.5
Width (mm)1

説明

The UPA2352BT1P is a N-Channel Mos Field Effect Transistor For Switching.