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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 超高速スイッチング対応 Gen IV Plus GaN
  • JEDEC規格認定済み GaN技術
  • 過渡過電圧耐性を備えた堅牢設計
  • E‑modeゲートドライバ互換、ツェナーダイオード保護不要
  • 極めて低いクロスオーバー損失
  • 極めて少ない逆回復電荷(Qrr
  • RoHS準拠、ハロゲンフリーパッケージ
  • 低逆導通電圧降下(VSD) 

説明

TP70H135G4PLSGB は、ルネサスの Gen IV Plusプラットフォームをベースとした 700V、135mΩ の窒化ガリウム(GaN)FETで、Normally-offデバイスです。 最先端の 高耐圧GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) と低耐圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた性能、標準ゲートドライブ互換性、容易な導入、高い信頼性を実現します。

Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォーム は、高度なエピタキシャル技術と特許取得済みデバイス技術を採用し、製造性を簡素化するとともに、ゲート電荷の低減、出力容量の低減、クロスオーバー損失の最小化、逆回復電荷の低減により、効率を向上させます。

パラメータ

属性
Blocking CapabilityUni-Directional Switch
Qualification LevelStandard
Vds min (V)700
V(TR)DSS max (V)800
RDSON (Typ) (mΩ)135
RDSON (max) (mΩ)169
Vth typ (V)2
Id max @ 25°C (A)16
Qg typ (nC)5.9
Qoss (nC)29.4
Ron * Qoss (FOM)3969
Ciss (Typical) (pF)485
Coss (Typical) (pF)29.5
Mounting TypeSurface Mount
Temp. Range (°C)-55 to +150°C

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
PQFN88, IP8 x 8 x 1.082

アプリケーション

  • 民生
  • 電源アダプタ
  • 低消費電力スイッチング電源(SMPS)
  • 照明機器
型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Carrier TypeMounting TypeTemp. Range (°C)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
TP70H135G4PLSGB-TRActiveAvailable在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
PQFN1ku | $1.35Tape & ReelSurface Mount-55 to +150°CCHINAJAPAN
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