パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | PQFN56 |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | 5 x 6 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | PQFN56 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 818 |
| Coss (Typical) (pF) | 53 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5 x 6 |
| Qg typ (nC) | 4.9 |
| Qoss (nC) | 56 |
| Qrr typ (nC) | 35 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 150 |
| RDSON (max) (mΩ) | 180 |
| Ron * Qoss (FOM) | 8400 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 2.4 |
| trr (Typical) (nS) | 17 |
TP65H150BG4JSG に関するリソース
説明
TP65H150BG4JSG 650V 150mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H150BG4JSGは、共通のソース・パッケージ構成の業界標準のPQFN56で提供されます。