TP65H020G4PLSGBD-TR

TP65H020G4PLSGBDは、ルネサスの第4世代Plusプラットフォームを採用した650V、20mΩの窒化ガリウム（GaN）FETです。 このノーマリーオフスイッチは、高速スイッチングと高い信頼性を実現する高耐圧デプレッションモードGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）と、標準的なゲートドライバとの互換性を提供する低耐圧シリコンMOSFETを組み合わせています。

両面冷却に対応した薄型PQFN 8×8パッケージを採用しており、優れた熱性能を実現するとともに、高いシステムレベルの電力密度設計を可能にします。 低ゲート電荷、低出力電荷、ごくわずかな逆回復電荷、およびソフトスイッチングとハードスイッチングの両方に対応することで、電力変換効率を向上させるとともに、システムの小型化、軽量化、およびコスト削減に貢献します。