窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）のようなワイドバンドギャップ半導体技術は、航空宇宙アプリケーションにおけるパワーマネジメントや電力変換に役立つものとして関心を集めています。 これらのデバイスは絶縁破壊電圧、低いRDS（ON）、極めて低いゲート電荷を特長としており、高効率化や省スペースソリューションフットプリントを実現しながら高いスイッチング周波数で操作できるパワーマネジメントシステムを可能にします。 GaNデバイスには、航空宇宙市場にとって魅力的なもう1つの利点があります。 これらのデバイスは本来、イオン化線量合計に対して免疫があります。
ルネサスの 耐放射線強化ポートフォリオには、人工衛星やその他の過酷環境アプリケーション向けのGaN FETが含まれます。 GaN FETは、より優れた導電性とスイッチング特性を有するため、システムのサイズ、重量、電力損失の削減など、システムの利便性を高めます。
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プロダクトセレクタ|
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| カタログ | PDF 5.75 MB | |
| カタログ | PDF 467 KB | |
| 技術概要 | PDF 332 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 221 KB | |
| ホワイトペーパー | PDF 1.49 MB English | |
| ホワイトペーパー | PDF 548 KB | |
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Renesas, a leading solution provider in the satellite and high-reliability industry, introduces its Gallium Nitride (GaN) technology with the ISL70024SEH and ISL70040SEH. Designed specifically for space applications, it delivers reliable performance under total ionizing dose (TID) and heavy ion exposure. Paired with a Renesas GaN driver and FET, it enables more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drive voltage, and a smaller solution size compared to traditional silicon devices.
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