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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
高電圧、大電流、H/ハーフブリッジ・ドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:STQFN
Pkg. Code:
Lead Count (#):20
Pkg. Dimensions (mm):2.0 x 3.0 x 0.55
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
Pb (Lead) FreeYes
Moisture Sensitivity Level (MSL)

製品スペック

Pkg. TypeSTQFN
Package Area (mm²)6
Pkg. Dimensions (mm)2.0 x 3.0 x 0.55
Qualification LevelIndustrial
Temp. Range (°C)-40 to +85°C
Country of AssemblyTAIWAN
Country of Wafer FabricationTAIWAN
Carrier TypeTape & Reel
Control ModeIN, Half-Bridge
InterfaceHardware (GPIO)
Key Features3A RMS for two HV GPOs connected in parallel​, Undervoltage lockout, Thermal shutdown, Overcurrent protection
Lead Count (#)20
Pb (Lead) FreeYes
Peak Output Current IPK (A)6
RDS(ON) (HS + LS) (mΩ)474
Sleep/Reset Mode Current (µA)22
TopologyPush-Pull
VS (Max) (V)26.4
VS (Min) (V)4.5

説明

このSLG7MD47673は、コンパクトで効率的な統合型Hブリッジ/ハーフブリッジ・ドライバで、最大26.4Vおよび3A(最大)出力の広い電圧アプリケーション向けに設計されています。 電力とサイズの両方が重要なアプリケーションに最適で、NMOS FETをHV OUT CTRLマクロセルに統合し、細かい設定変更を可能にします。 このSLG7MD47673は、ドライバFETと制御回路を1つの部品に組み合わせることで、モータドライバシステムの設計を簡素化し、部品点数を削減します。 このデバイスは、高精度のモータ始動制御のためのEN入力インターフェースと、消費電力を削減するためのINHピンを介してアクティブ化される低電力スリープモードを備えています。 低電圧ロックアウト、過電流保護、サーマルシャットダウンなどの保護機能が組み込まれたこのSLG7MD47673は、さまざまな環境での信頼性と安全な動作を保証します。