特長
- Optimized for smartphone, notebook/tablet PC applications
- 40 mΩ RDSON while supporting 1.0 A
- Power supply/input voltage range: 2.5 V ≤ VD ≤ 5.5 V
- Output voltage slew-rate control internally fixed
- Output discharge circuitry
- Sleep mode current (IDDOFF) in low µA range
SLG59M1466V
説明
The SLG59M1466V is designed for load switching applications. The part comes with one 40 mΩ 1.0 A‑rated MOSFET controlled by a single ON control pin. The MOSFET’s ramp rate is fixed at 3 V/ms. The product is packaged in an ultra‑small 1.0 mm x 1.0 mm package.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SLG59M1466V | Obsolete | N/A | In Stock | Package | Tape & Reel | 1 | Yes | |
| SLG59M1466VTR | Obsolete | N/A | Out of Stock | Package | 4# |
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- ガイド日本語GreenFET負荷スイッチは、低電圧用途での効率的な高側電力制御を目的に設計されています。これらのデバイスは低RDS(on)、コンパクトなパッケージ、統合保護機能を組み合わせ、ディスクリート設計に代わり、PCBスペースを削減しシステムの信頼性を向上させます。このガイドは、エンジニアが迅速に主要なパラメータを比較し、自らの用途に最適なデバイスを選択できるようにします。
- アプリケーションノート英語PDF 911 KB 2019年2月22日AI生成コンテンツ: Extending the maximum operating current of GreenFET load switches can be achieved by using two lower-current devices in parallel, maintaining protection features and reducing overall RDSON. Parallel operation balances current sharing due to low RDSON variation in Renesas's MOSFET design. Examples include using pairs of SLG59H1006V and SLG59M1714V devices, with detailed operational waveforms and recommended PCB layouts provided. High-current single devices like SLG59M1568V are also covered. The document includes application diagrams, oscilloscope captures, and design guidelines for high-current load switch applications.
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- ガイド日本語GreenFET負荷スイッチは、低電圧用途での効率的な高側電力制御を目的に設計されています。これらのデバイスは低RDS(on)、コンパクトなパッケージ、統合保護機能を組み合わせ、ディスクリート設計に代わり、PCBスペースを削減しシステムの信頼性を向上させます。このガイドは、エンジニアが迅速に主要なパラメータを比較し、自らの用途に最適なデバイスを選択できるようにします。
マニュアル、ガイド (1)
- アプリケーションノート英語PDF 911 KB 2019年2月22日AI生成コンテンツ: Extending the maximum operating current of GreenFET load switches can be achieved by using two lower-current devices in parallel, maintaining protection features and reducing overall RDSON. Parallel operation balances current sharing due to low RDSON variation in Renesas's MOSFET design. Examples include using pairs of SLG59H1006V and SLG59M1714V devices, with detailed operational waveforms and recommended PCB layouts provided. High-current single devices like SLG59M1568V are also covered. The document includes application diagrams, oscilloscope captures, and design guidelines for high-current load switch applications.
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A detailed overview of the GreenFET product line, focusing on the advantages of Renesas’ proprietary CuFET™ architecture and its impact on performance, size, and reliability. The presentation covers key specifications such as low RDS(on), high continuous current capability, and integrated protection functions including current limiting, thermal shutdown, and reverse‑current blocking. The session also outlines how GreenFET devices streamline power sequencing and reduce external component requirements.
