パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | FCLGA |
| Pkg. Code: | FL0008AA |
| Lead Count (#): | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 5.0 x 6.0 x 0.902 |
| Pitch (mm): | 1.27 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (RTP100E2P6G1FL-TR) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | FCLGA |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Assembly Location | CHINA |
| Wafer Fab Location | Taiwan |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 1602 |
| Coss (Typical) (pF) | 562 |
| FET Type | E-mode GaN |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 30 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 109 |
| Id max @ 25°C (A) | 34 |
| Lead Count (#) | 8 |
| Pitch (mm) | 1.27 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.0 x 6.0 x 0.902 |
| Price (USD) | $1.65 |
| Qg typ (nC) | 9.4 |
| Qoss (nC) | 46 |
| Qualification Level | Standard |
| Quality Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 |
| RDSON (max) (mΩ) | 3.6 |
| Ron * Qoss (FOM) | 119.6 |
| Theta-JA (°C/W) | 29.4 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| Vds min (V) | 100 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
RTP100E2P6G1FL に関するリソース
説明
RTP100E2P6G1FLは、ルネサスの第1世代REXGaN®プラットフォームを採用した100V、2.6mΩのエンハンスメントモード（E-mode）窒化ガリウム（GaN）FETです。コンパクトな5mm × 6mm FCLGAパッケージを採用しています。 先進的なパッケージ技術により、超高速スイッチング性能と優れた熱特性を両立し、高効率かつ高電力密度設計を可能にします。 シリコン互換フットプリントにより、従来のシリコンMOSFETからGaN技術への移行を容易にし、開発期間の短縮、システムの小型化、および電力損失の低減に貢献します。
