パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TSOP(2) |
| Pkg. Code: | pkg_472 |
| Lead Count (#): | 52 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 11 x 9 x 1.2 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 |
| ECCN (US) | 3A991.b.2.a |
| HTS (US) | 8542.32.0041 |
| RoHS (RMLV0816BGSD-4S2#AC0) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Carrier Type | Tray |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 |
| Access Time (ns) | 45 |
| Density (Kb) | 8000 |
| Lead Compliant | Yes |
| Lead Count (#) | 52 |
| Length (mm) | 11 |
| MOQ | 1 |
| Memory Capacity (kbit) | 8000 |
| Memory Density | 8 |
| Organization | 512K x 16 |
| Organization (bit) | x 8 / x 16 |
| Organization (kword) | 1000 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 11 x 9 x 1.2 |
| Pkg. Type | TSOP(2) |
| Remarks | Dual Chip Select (CS1#, CS2) |
| Replacement Product | RMLV0816BGSD-4S2#AA1 |
| Replacement Remark | Assembly site transfer to serve the objective of stable supply |
| Supply Voltage (V) | 2.4 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 9 |
RMLV0816BGSD に関するリソース
説明
RMLV0816BGSDは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSDは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSDは、52ピンの超薄型パッケージ（µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm]）に収納されており、高密度実装に最適です。