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8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: TSOP(2)
Pkg. Code: pkg_472
Lead Count (#): 52
Pkg. Dimensions (mm): 10.79 x 8.89 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 2
ECCN (US) 3A991.b.2.a
HTS (US) 8542.32.0041
RoHS (RMLV0816BGSD-4S2#AC0) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes

製品スペック

Carrier Type Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2
Access Time (ns) 45
Density (Kb) 8000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 52
Length (mm) 11
MOQ 1
Memory Capacity (kbit) 8000
Memory Density 8M
Organization 512K x 16
Organization (bit) x 8 / x 16
Organization (kword) 1000
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 11 x 9 x 1.2
Pkg. Type TSOP(2)
Remarks Dual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Product RMLV0816BGSD-4S2#AA1
Replacement Remark Assembly site transfer to serve the objective of stable supply
Supply Voltage (V) 2.4 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range (°C) -40 to +85
Thickness (mm) 1.2
Width (mm) 9

説明

RMLV0816BGSDは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSDは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSDは、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])に収納されており、高密度実装に最適です。