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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(48)
Pkg. Code:pkg_11788
Lead Count (#):48
Pkg. Dimensions (mm):18 x 12 x 1.2
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyCHINA, MALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)8000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)48
Length (mm)18
MOQ1000
Memory Capacity (kbit)8000
Memory Density8
Organization512K x 16
Organization (bit)x 8 / x 16
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)18 x 12 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(48)
Price (USD)$5.57106
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement RemarkChange in generation from 0.15 um to 0.11 um
Supply Voltage (V)2.4 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)12

説明

RMLV0816BGSAは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSAは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSAは、48ピンの薄型パッケージ(TSOP/12mm×20mm [ピンピッチ 0.50mm])に収納されており、高密度実装に最適です。