特長
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.35V（typ.） （IC = 30A、VGE = 15V、Ta = 25 °C時）
- 絶縁パッケージ
- トレンチゲートと薄型ウェハ技術（G7Hシリーズ）
- 高速スイッチング
- 動作周波数（50Hz ≤ f ˂ 20kHz）
- 短絡耐量は保証されていない
説明
RJP65T54DPM-A0は650V、60Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、スルーホール実装を提供し、TO-3PFPパッケージで提供されます。
アプリケーション
- 部分スイッチ
適用されたフィルター
読込中