パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Wafer |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Pb (Lead) Free | No |
| RoHS (RJP65S08DWA-00#W0) | 英語日本語 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Wafer |
| Pb (Lead) Free | No |
| Channels (#) | 1 |
| IC @100 °C (A) | 200 |
| IC @25 °C (A) | 400 |
| Lead Compliant | No |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Series Name | 65Sx Series |
| Tape & Reel | No |
| VCE (sat) (V) | 1.5 |
| VCES (V) | 650 |
| VDSS (Max) (V) | 650 |
| tf (Typical) (µs) | 0.08 |
| tsc (μs) | 10 |
RJP65S08DWA に関するリソース
説明
RJP65S08DWAは650V、200Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。