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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TO-3PFM
Pkg. Code:pkg_1307
Lead Count (#):3
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Pb (Lead) FreeYes
RoHS (RJP6065DPM-00#T2)英語日本語
Moisture Sensitivity Level (MSL)
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. TypeTO-3PFM
Lead Count (#)3
Carrier TypeTube
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
IC @25 °C (A)40
Ic (Peak) (A)100
Lead CompliantNo
MOQ1
Mounting TypeThrough Hole
Pch (W)50
Tape & ReelNo
VCE (sat) (V)1.8
VCES (V)630
VDSS (Max) (V)630
tf (Typical) (µs)0.45

説明

Support is limited to customers who have already adopted these products.

IGBT 630V 40A TO-3PFM