ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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RJP1CS03DWA

最終購入とりまとめ品

IGBT 1250V 30A Wafer

ご購入

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.8V（typ.） （IC = 30A, VGE = 15V、Tc = 25°C時）
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量（10µs min.）

説明

RJP1CS03DWAは1250V、30Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、インバータアプリケーションに使用できます。 Unsawnウェハパッケージで提供されます。

アプリケーション

  • インバータ

適用されたフィルター

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