パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Wafer |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| Pb (Lead) Free | No |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Wafer |
| Application | Inverter |
| Channels (#) | 1 |
| IC @25 °C (A) | 200 |
| Ic (Peak) (A) | 400 |
| Lead Compliant | No |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | No |
| Qualification Level | Industrial |
| Simulation Model Available | Yes |
| Technology | AE4 |
| Tj (°C) | 175 |
| VCE (sat) (V) | 1.5 |
| VCES (V) | 1200 |
| VGE (Off) (V) | 7 |
| tsc (μs) | 6 |
RJP1C15DWA に関するリソース
説明
ルネサスのAE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/200A IGBTは、インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。