特長
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High-Speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 50 A, Rg = 10 Ω, Tj = 125°C, inductive load)
説明
The RJH65S04DPQ-A0 is a 650V 100A Single Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) for inverter applications.
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJH65S04DPQ-A0#T0 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TO-247A | 3# | Tube | Yes |
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- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: TO-247とTO-247plusのパッケージサイズを比較し、ネジ穴の有無以外は寸法が同じであるため、基板設計や置換えが容易であることを示しています。IGBTの放熱性能の重要性を強調し、取付け圧力やサーマルグリスが熱抵抗に与える影響を説明しています。TO-247plusはフレームが大きく放熱性が向上しています。実装時は素子に均等な圧力をかけ、ダメージを防ぐことが推奨されます。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: IGBTを並列使用する際、コレクタ・エミッタ飽和電圧（Vce(sat)）の差や基板・配線の寄生抵抗の違いにより電流アンバランスが発生します。このアンバランスは損失の不均一や過渡損失に影響を与えます。対策として、同一ロットの素子選定や並列経路の対称設計が重要です。ゲートドライバのエミッタセンス位置も電流バランスに影響し、対称配線と寄生抵抗の低減が必要です。Vce(sat)の温度依存性も考慮し、正の温度依存性領域での使用が推奨されます。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料はIGBTの絶対最大定格を定義し、これを超えない使用の重要性を強調しています。ゲート・エミッタ間電圧、コレクタ電流、スイッチング損失などの電気的特性を詳述しています。ケース温度に基づく定格電流と許容損失の計算方法を説明し、設計時に余裕を持つ必要性を示しています。熱抵抗やジャンクション温度の限界も解説し、信頼性の確保を目的としています。
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- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料はIGBTの絶対最大定格を定義し、これを超えない使用の重要性を強調しています。ゲート・エミッタ間電圧、コレクタ電流、スイッチング損失などの電気的特性を詳述しています。ケース温度に基づく定格電流と許容損失の計算方法を説明し、設計時に余裕を持つ必要性を示しています。熱抵抗やジャンクション温度の限界も解説し、信頼性の確保を目的としています。
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