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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • ロジックレベル (4V) 駆動可能なパワーMOS FET です
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています
  • 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
  • 高密度実装が可能
  • 電流制限回路を内蔵しております
  • 電源電圧12 V, 24 V 適用
  • AEC-Q101 Rev-E 準拠

説明

本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

パラメータ

属性
Qualification LevelAutomotive
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeSO8-FL 5x6 BSC
Gate LevelLogic
VDSS (Max) (V)60
ID (A)10
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)75
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)100
Pch (W)40
Series NameThermal FETs

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
HSON5.4 x 5 x 1.458
型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Standard Pkg. TypeCarrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RJF0628JNS-00#Q7ActiveAvailable在庫ありRoHS:EN
RoHS:JA
HSON1ku | $0.865SO8-FL 5x6 BSCEmbossed Tape1JAPANJAPAN
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