パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | HSON |
| Pkg. Code: | pkg_11567 |
| Lead Count (#): | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 5.4 x 5 x 1.45 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| RoHS (RJF0626JNS-00#Q7) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Pkg. Type | HSON |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Country of Assembly | JAPAN |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Application | Automotive Use |
| Automotive Qual. | Yes |
| Channels (#) | 2 |
| Channels per device (#) | 2 |
| Function | Thermal FETs |
| Gate Level | Logic |
| ID (A) | 7 |
| Id max @ 25°C (A) | 7 |
| Lead Compliant | No |
| Lead Count (#) | 8 |
| Length (mm) | 5.4 |
| MOQ | 2500 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pch (W) | 30 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.4 x 5 x 1.45 |
| Price (USD) | $1.45962 |
| Qualification Level | Automotive |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 80 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 100 |
| RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 64.9 |
| RDS (on) (Max) @4V to 4.5V (mohm) | 100 |
| RDS (on) (Max) @8V to 10V (mohm) | 80 |
| RDS (on) (ohm) typ. @4V to 4.5V (mohm) | 79.8 |
| RDS (on) (ohm) typ. @8V to 10V (mohm) | 64.9 |
| Series Name | Thermal FETs |
| Simulation Model Available | Yes |
| Tape & Reel | No |
| Thickness (mm) | 1.45 |
| VDSS (Max) (V) | 60 |
| Vgs (off) (Max) (V) | 2.1 |
| Width (mm) | 5 |
RJF0626JNS に関するリソース
説明
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
