概要
説明
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造は パワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による 発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
特長
- ロジックレベル (5～6 V) 駆動型パワーMOS FET です
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています
- 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
- 高密度実装が可能
- 電源電圧12 V, 24 V 適用
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 354 KB English | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 277 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| カタログ | PDF 9.16 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
| カタログ | PDF 1.32 MB | |
8件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
製品選択
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